テルル化亜鉛 (ZnTe) は、化学式 ZnTe の二元化合物です。この固体は、直接バンドギャップが 2.26 eV の半導体材料です。通常はp型半導体です。そのテルル化亜鉛結晶基板の構造は、閃亜鉛鉱やダイヤモンドと同様、立方晶系です。
テルル化亜鉛(ZnTe)は、可視波長でのセンサーの保護に使用できる非線形光学フォトリフラクティブ材料です。ZnTe は、軽量でコンパクトなシステムの構築に役立つ独自の特性を示します。また、観察シーンの低強度画像を通過させながら、レーザー ダズラーからの高強度の妨害ビームをブロックすることもできます。ZnTe 材料は、波長で優れたフォトリフラクティブ性能を発揮します。他のIII-VおよびII-VI化合物半導体と比較して、600〜1300 nmの間。
DIEN TECHでは、サブピコ秒の高強度光パルスを用いた光整流と呼ばれる非線形光学プロセスにより、テラヘルツ周波数のパルスを保証するのに最適な結晶軸<110>のZnTe結晶を作製しています。DIEN TECH が提供する ZnTe 素子には双晶欠陥がありません。最大。7~12umでの透過率は60%を超え、レーザーダイオード、太陽電池、テラヘルツイメージング、電気光学検出器、ホログラフィック干渉法、レーザー光位相共役デバイスなどの用途に広く使用されています。
DIEN TECH ZnTe の標準結晶軸は <110> ですが、ご要望に応じて他の結晶軸の ZnTe 材料も入手可能です。
DIEN TECHのZnTe結晶の標準寸法は、口径10x10mm、厚さ0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.5mm、1mmです。一部の製品は棚からすぐに納品されます。ご要望に応じて他の寸法も利用可能です。
基本特性 | |
構造式 | 亜鉛テ |
格子パラメータ | a = 6.1034 |
比抵抗、オームcm ドープされていない | 1×106 |
密度 | 5.633g/cm3 |
電気光学 係数r14(λ=10.6μm) | 4.0×10-12m/V |
熱膨張率 | 10.3ppm/℃ |
EPD、cm-1 | < 5×105 |
低角境界の密度、cm-1 | < 10 |
公差 幅/長さ | +0.000mm / -0.100mm |