BBOクリスタル


  • 結晶構造: 三方晶、空間群R3c
  • 格子定数: a = b =12.532Å、c =12.717Å、Z = 6
  • 融点: 約1095℃
  • モース硬度: 4
  • 密度: 3.85 g / cm3
  • 熱膨張係数: α11= 4x 10-6 / K; α33= 36x10-6 / K
  • 製品の詳細

    技術的パラメータ

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    BBOは、新しい超暴力周波数倍増結晶です。これは、通常の屈折率(no)が異常な屈折率(ne)よりも大きい負の一軸結晶です。タイプIとタイプIIの両方の位相整合は、角度調整によって達成できます。 
    BBOは、Nd:YAGレーザーの第2、第3、第4高調波発生に効率的なNLO結晶であり、213nmでの第5高調波発生に最適なNLO結晶です。SHGで70%以上、THGで60%、4HGで50%以上の変換効率、および213 nm(5HG)で200mWの出力がそれぞれ得られました。
    BBOは、高出力Nd:YAGレーザーのキャビティ内SHG用の効率的な結晶でもあります。音響光学QスイッチNd:YAGレーザーのキャビティ内SHGの場合、ARコーティングされたBBO結晶によって532nmで15Wを超える平均出力が生成されました。モードロックNd:YLFレーザーの600 mW SHG出力によって励起されると、外部の強化された共振空洞内のブリュースター角カットBBOから263nmで66mWの出力が生成されました。
    BBOはEOアプリケーションにも使用できます。BBOポッケルスセルまたはEOQスイッチは、BBOなどの電気光学結晶の電極に電圧が印加されたときに通過する光の偏光状態を変更するために使用されます。広い透明度と位相整合範囲、大きな非線形係数、高い損傷しきい値、優れた光学的均一性と電気光学特性を備えたベータホウ酸バリウム(β-BaB2O4、BBO)は、さまざまな非線形光学アプリケーションと電気光学アプリケーションに魅力的な可能性を提供します。
    BBOクリスタルの特徴:
    •409.6nm〜3500nmの広い位相整合範囲。
    •190nmから3500nmまでの広い透過領域。
    •KDP結晶の約6倍の大きな実効第二高調波発生(SHG)係数。
    •高いダメージしきい値。
    •δn≈10-6/ cmの高い光学的均一性。
    •約55℃の広い温度帯域幅。
    重要なお知らせ:
    BBOは湿気に対する感受性が低いです。ユーザーは、BBOの適用と保存の両方に乾燥状態を提供することをお勧めします。
    BBOは比較的柔らかいため、研磨面を保護するための予防措置が必要です。
    角度調整が必要な場合は、BBOの許容角度が小さいことにご注意ください。

    寸法公差 (W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L + 0.5 / -0.1mm)(L≥2.5mm)(W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L + 0.1 / -0.1 mm)(L <2.5mm)
    クリアアパーチャ 直径の中央90%50mWの緑色レーザーで検査した場合、目に見える散乱経路または中心はありません
    平坦度 L / 8 @ 633nm未満
    波面歪み L / 8 @ 633nm未満
    面取り ≤0.2mmx45°
    チップ ≤0.1mm
    スクラッチ/ディグ MIL-PRF-13830Bに対して10/5より良い
    並列処理 ≤20秒角
    垂直性 ≤5分角
    角度公差 ≤0.25
    ダメージしきい値[GW / cm2] > 1(1064nm、TEM00、10ns、10HZ(研磨のみ))> 0.5(1064nm、TEM00、10ns、10HZ(ARコーティング))> 0.3(532nm、TEM00、10ns、10HZ(ARコーティング))
    基本的なプロパティ
    結晶構造 三方晶 空間群R3c
    格子定数 a = b =12.532Å、c =12.717Å、Z = 6
    融点 約1095℃
    モース硬度 4
    密度 3.85 g / cm3
    熱膨張係数 α11= 4x 10-6 / K; α33= 36x10-6 / K
    熱伝導率係数 ⊥c:1.2W / m / K; // c:1.6W / m / K
    透明度の範囲 190-3500nm
    SHGフェーズマッチング可能範囲 409.6-3500nm(タイプI)525-3500nm(タイプII)
    熱光学係数(/℃) dno / dT = -16.6x 10-6 /℃
    dne / dT = -9.3x 10-6 /℃
    吸収係数 <0.1%/ cm(1064nmで)<1%/ cm(532nmで)
    角度の受け入れ 0.8mrad・cm(θ、タイプI、1064 SHG)
    1.27mrad・cm(θ、タイプII、1064 SHG)
    温度許容 55℃・cm
    スペクトルの受け入れ 1.1nm・cm
    ウォークオフアングル 2.7°(タイプI 1064 SHG)
    3.2°(タイプII 1064 SHG)
    NLO係数 deff(I)=d31sinθ+(d11cos3Φ-d22sin3Φ)cosθq
    deff(II)=(d11sin3Φ+d22cos3Φ)cos2θ
    消失していないNLO感受性 d11 = 5.8 x d36(KDP)
    d31 = 0.05 x d11
    d22 <0.05 x d11
    セルマイヤー方程式
    (λinμm)
    no2 = 2.7359 + 0.01878 /(λ2-0.01822)-0.01354λ2
    ne2 = 2.3753 + 0.01224 /(λ2-0.01667)-0.01516λ2
    電気光学係数 γ22= 2.7 pm / V
    半波電圧 7 KV(1064 nm、3x3x20mm3)