Siウィンドウズ


  • 材料: Si 
  • 直径公差: + 0.0 / -0.1mm 
  • 厚さ公差: ±0.1mm 
  • 表面精度: λ/4@632.8nm 
  • 並列処理: <1 ' 
  • 表面品質: 60〜40
  • クリアアパーチャ: > 90%
  • 面取り: <0.2×45°
  • コーティング: カスタムデザイン
  • 製品の詳細

    技術的パラメータ

    試験報告書

    シリコンは主に半導体で使用される単結晶であり、1.2μmから6μmのIR領域で非吸収性です。ここでは、IR領域アプリケーションの光学コンポーネントとして使用されます。
    シリコンは、主に3〜5ミクロンの帯域の光学ウィンドウとして、また光学フィルターを製造するための基板として使用されます。研磨面を備えたシリコンの大きなブロックも、物理実験の中性子ターゲットとして使用されます。
    シリコンはチョクラルスキー法(CZ)によって成長し、9ミクロンの吸収帯を引き起こす酸素を含んでいます。これを回避するために、シリコンはフロートゾーン(FZ)プロセスで調製できます。光シリコンは一般に、10ミクロンを超える最高の透過率を得るために軽くドープされています(5〜40オームcm)。シリコンにはさらに30〜100ミクロンの通過帯域があり、これは非常に高い抵抗率の補償されていない材料でのみ有効です。ドーピングは通常、ホウ素(p型)とリン(n型)です。
    応用:
    •1.2〜7μmのNIRアプリケーションに最適
    •ブロードバンド3〜12μm反射防止コーティング
    •重量に敏感なアプリケーションに最適
    特徴:
    •これらのシリコンウィンドウは1µm領域以下では透過しないため、その主な用途はIR領域です。
    •熱伝導率が高いため、高出力レーザーミラーとしての使用に適しています
    ▶シリコンウィンドウの表面は光沢があります。反射および吸収しますが、可視領域では透過しません。
    ▶シリコンウィンドウの表面反射により、53%の透過率損失が発生します。(測定データ1表面反射27%)

    送信範囲: 1.2〜15μm(1)
    屈折率: 3.4223 @5μm(1)(2)
    反射損失: 5μmで46.2%(2面)
    吸収係数: 0.01cm-1 3μmで
    Reststrahlenピーク: 該当なし
    dn / dT: 160 x 10-6 /°C(3)
    dn /dμ= 0: 10.4μm
    密度: 2.33 g / cc
    融点: 1420°C
    熱伝導率 : 163.3 W m-1 K-1 273Kで
    熱膨張: 2.6 x 10-6 / 20°Cで
    硬度: ヌープ1150
    比熱容量: 703 J Kg-1 K-1
    誘電率: 10GHzで13
    ヤング率(E): 131 GPa(4)
    せん断弾性率(G): 79.9 GPa(4)
    体積弾性率(K): 102 GPa
    弾性係数: C11= 167; C12= 65; C44= 80(4)
    見かけの弾性限界: 124.1MPa(18000 psi)
    ポアソン比: 0.266(4)
    溶解性: 水に不溶
    分子量 : 28.09
    クラス/構造: キュービックダイヤモンド、Fd3m

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