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オプティカル コンタクト ZnTe 結晶 EO サンプリング THz 検出用 100+110 配向オプティカル コンタクト ZnTe 結晶 EO サンプリング THz 検出用 100+110 配向
THz 生成 ZnTe 結晶 最新の THz 時間領域分光法 (THz-TDS) では、一般的なアプローチは、超短レーザー パルスの光整流 (OR) による THz パルスの生成と、自由空間電気光学サンプルによる検出です。
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大口径 20mm、ZnSe(600-16000nm)、1/4 フレネル菱形リターダー大口径 20mm、ZnSe(600-16000nm)、1/4 フレネル菱形リターダー
ZnSe フレネル菱形 フレネル菱形は、低温感度と波長板よりも広い波長範囲を備えた優れたアクロマティック リターダであり、屈折率の変化からのみ波長とともにリターダンスが変化します。
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GaSe および ZnGeP2 結晶の DFG に基づく調整可能な THz 放射GaSe および ZnGeP2 結晶の DFG に基づく調整可能な THz 放射
テラヘルツ源は、常にテラヘルツ放射の分野で最も重要な技術の 1 つです。テラヘルツ放射を実現するために多くの方法が機能することが証明されています。典型的には、エレクトロニクスとフォトニクス技術です。フォトニクスの分野では、非線形光学の違い...
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CSOE - 2022 年 12 月CSOE - 2022 年 12 月
CSOE 2022 科学の発展と主要な科学技術の成果は、さまざまな分野の交差と統合にますます依存しています。フォトニクス技術は、...
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GaSe、ZnGeP2、および GaP の差周波発生 (DFG) に基づく、広く調整可能な単色 THz 源GaSe、ZnGeP2、および GaP の差周波発生 (DFG) に基づく、広く調整可能な単色 THz 源
GaSe 結晶 GaSe 結晶を使用して、出力波長は 58.2 µm から 3540 µm (172 cm-1 から 2.82 cm-1) の範囲で調整され、ピーク出力は 209 W に達しました。
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Hot Products BGGSe 結晶 BaGa2GeSe6 結晶は、レーザー放射を中赤外域 (またはその範囲内) に周波数変換するように設計されていますHot Products BGGSe 結晶 BaGa2GeSe6 結晶は、レーザー放射を中赤外域 (またはその範囲内) に周波数変換するように設計されています
新しい BGGSe 結晶 高い光損傷閾値 (110 MW/cm2) 広いスペクトル透明度範囲 (0.5 ～ 18 μm) 高い非線形性 (d11 = 66 ± 15 pm/V)中赤外範囲 最も効果的...
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