GSGGクリスタル


  • 組成: (Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
  • 結晶構造: キュービック:a =12.480Å
  • 分子w誘電定数8: 968,096
  • 融点: 〜1730 oC
  • 密度: 〜7.09 g / cm3
  • 硬度: 〜7.5(mohns)
  • 屈折率: 1.95
  • 誘電率: 30
  • 製品の詳細

    技術的パラメータ

    GGG / SGGG / NGGガーネットは液体エピタキシーに使用されます。SGGGサブアトレートは磁気光学フィルム専用の基板です。光通信デバイスでは、1.3uおよび1.5uの光アイソレータを多く使用する必要があり、そのコアコンポーネントはYIGまたはBIGフィルムです。磁場に置かれました。 
    SGGG基板は、ビスマス置換鉄ガーネットエピタキシャル膜の成長に優れており、YIG、BiYIG、GdBIGに適した材料です。
    それは優れた物理的および機械的特性と化学的安定性です。
    アプリケーション:
    YIG、BIGエピタキシーフィルム;
    マイクロ波デバイス;
    代替GGG

    プロパティ:

    組成 (Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
    結晶構造 キュービック:a =12.480Å、
    分子w誘電定数8 968,096
    融点 〜1730 oC
    密度 〜7.09 g / cm3
    硬度 〜7.5(mohns)
    屈折率 1.95
    誘電率 30
    誘電損失正接(10 GHz) 約 3.0 * 10_4
    結晶成長法 チョクラルスキー
    結晶成長方向 <111>

    技術的パラメータ:

    オリエンテーション <111> <100>±15分以内
    波面歪み <1/4 wave @ 632
    直径公差 ±0.05mm
    長さの許容範囲 ±0.2mm
    面取り 0.10mm@45º
    平坦度 <633nmで1/10波
    並列処理 <30秒角
    垂直性 <15分角
    表面品質 10/5スクラッチ/ディグ
    クリアアペレチャー > 90%
    結晶の大きな寸法 直径2.8-76mm