シリコンは主に半導体で使用される単結晶で、1.2μm ~ 6μm の IR 領域では非吸収性です。ここでは、IR 領域アプリケーションの光学コンポーネントとして使用されます。
シリコンは、主に 3 ~ 5 ミクロン帯域の光学窓として、また光学フィルター製造用の基板として使用されます。表面が研磨されたシリコンの大きなブロックは、物理学実験の中性子ターゲットとしても使用されます。
シリコンはチョクラルスキー引き上げ技術 (CZ) によって成長し、9 ミクロンで吸収バンドを引き起こす酸素をいくらか含んでいます。これを避けるために、シリコンをフロートゾーン (FZ) プロセスで準備することができます。光学シリコンは通常、10 ミクロン以上で最良の透過率を得るために低濃度にドープされます (5 ~ 40 オーム cm)。シリコンにはさらに 30 ~ 100 ミクロンの通過帯域があり、これは抵抗率が非常に高く、補償されていない材料でのみ有効です。ドーピングは通常、ホウ素 (p 型) とリン (n 型) です。
応用:
• 1.2 ~ 7 μm の NIR アプリケーションに最適
• 広帯域 3 ~ 12 μm の反射防止コーティング
• 重量に敏感な用途に最適
特徴:
• これらのシリコン窓は 1µm 以下の領域では透過しないため、主な用途は IR 領域です。
・熱伝導率が高いため、高出力レーザーミラーとしての使用に適しています。
▶シリコンウィンドウは光沢のある金属表面を持っています。可視領域では反射および吸収しますが、透過しません。
▶シリコンウィンドウの表面反射により、透過率が53%低下します。(測定データ1 面反射27%)
伝送範囲: | 1.2~15μm(1) |
屈折率 : | 3.4223 @ 5 μm (1) (2) |
反射損失: | 5μmで46.2%(2面) |
吸収係数: | 0.01cm-13μmで |
レストシュトラレン ピーク : | 該当なし |
dn/dT : | 160×10-6/℃ (3) |
dn/dμ = 0 : | 10.4μm |
密度 : | 2.33g/cc |
融点 : | 1420℃ |
熱伝導率 : | 163.3W・m-1 K-1273Kで |
熱膨張 : | 2.6×10-6/ 20℃ |
硬度 : | ヌープ 1150 |
比熱容量: | 703Jkg-1 K-1 |
誘電率 : | 10 GHz で 13 |
ヤング率 (E) : | 131GPa (4) |
せん断弾性率 (G) : | 79.9GPa (4) |
体積弾性率 (K) : | 102GPa |
弾性係数: | C11=167;C12=65;C44=80 (4) |
見かけの弾性限界 : | 124.1MPa (18000 psi) |
ポアソン比 : | 0.266 (4) |
溶解度 : | 水に不溶 |
分子量 : | 9月28日 |
クラス/構造 : | 立方体ダイヤモンド、Fd3m |