レーザー結晶

当社は、さまざまな濃度、さまざまなドーピングイオンを備えた、さまざまな高品質レーザー結晶を提供しています。リクエストに応じた仕様、ネオジムドープイットリウムアルミニウムガーネット (Nd:YAG)、エルビウムドープイットリウムアルミニウムガーネット (Er:YAG)、ホルミウムドープイットリウムアルミニウムガーネット (Ho:YAG)、エルビウムおよびイッテルビウム共ドープリン酸ガラス(Er:ガラス）など、DIEN TECH が提供するオプションとソリューションは異なります。

Cr2+:ZnSe

Cr2+:ZnSe 可飽和吸収体 (SA) は、1.5 ～ 2.1 μm のスペクトル範囲で動作するアイセーフファイバーおよびソリッドステートレーザーのパッシブ Q スイッチに理想的な材料です。
Fe:ZnSe/Fe:ZnS

Fe2+:ZnSe 鉄をドープしたセレン化亜鉛可飽和吸収体 (SA) は、2.5 ～ 4.0 μm のスペクトル範囲で動作する固体レーザーのパッシブ Q スイッチに理想的な材料です。
Yb:YAG結晶

Yb:YAG は最も有望なレーザー活性材料の 1 つであり、従来の Nd ドープシステムよりもダイオード励起に適しています。一般的に使用される Nd:YAG 結晶と比較して、Yb:YAG 結晶は吸収帯域幅がはるかに大きいため、ダイオードレーザーの熱管理要件が軽減され、上部レーザーレベルの寿命が長くなり、単位ポンプパワーあたりの熱負荷が 3 ～ 4 倍低くなります。Yb:YAG 結晶は、高出力ダイオード励起レーザーやその他の潜在的な用途において Nd:YAG 結晶を置き換えると期待されています。
Tm:YAP クリスタル

Tm ドープ結晶には、発光波長を約 2um に調整可能な固体レーザー源の材料として最適な材料として挙げられるいくつかの魅力的な特徴があります。Tm:YAG レーザーは 1.91 μm から 2.15μm まで調整できることが実証されました。同様に、Tm:YAP レーザーは 1.85 ～ 2.03 um の範囲で調整できます。Tm:ドープ結晶の準 3 準位システムには、適切なポンピング形状と活性媒体からの良好な熱抽出が必要です。
Ho：YAG結晶

ホー：YAGホー³⁺絶縁レーザー結晶にドープされたイオンは、CW からモードロックまでの時間モードで動作する 14 個のマニホールド間レーザーチャネルを示しました。Ho:YAG は、2.1 μm レーザー発光を生成する効率的な手段として一般的に使用されます。⁵I₇-⁵I₈レーザーリモートセンシング、医療手術、中赤外OPOの励起などのアプリケーション向けに移行し、3～5ミクロンの発光を実現します。直接ダイオード励起システムと Tm: ファイバーレーザー励起システムは、高いスロープ効率を実証しており、理論上の限界に近づいているものもあります。
Er:YSGG/Er,Cr:YSGG 結晶

エルビウムをドープしたイットリウムスカンジウムガリウムガーネット結晶 (Er:Y3Sc2Ga3012 または Er:YSGG) 単結晶からの活性元素は、3 μm 範囲で放射するダイオード励起固体レーザー用に設計されています。Er:YSGG 結晶は、広く使用されている Er:YAG、Er:GGG、Er:YLF 結晶と並んで、その応用の展望を示しています。