EO Q スイッチは、印加電圧が KD*P などの電気光学結晶に複屈折変化を引き起こすときに、スイッチを通過する光の偏光状態を変更します。偏光子と組み合わせて使用すると、これらのセルは光スイッチまたはレーザー Q スイッチとして機能できます。
当社は、高度な結晶製造およびコーティング技術に基づいた EO Q スイッチを提供しています。高い透過率 (T>97%)、高い損傷しきい値 (>500W/cm2)、および高い消光比を示す、さまざまなレーザー波長の EO Q スイッチを提供できます。 (>1000:1)。
アプリケーション:
• OEM レーザー システム
• 医療/美容用レーザー
• 多用途の研究開発用レーザープラットフォーム
• 軍事および航空宇宙用レーザー システム
特徴 | 利点 |
CCI 品質 – 経済的な価格 | 卓越した価値 |
最高級ストレインフリーKD*P | 高いコントラスト比 |
高いダメージ閾値 | |
低い半波電圧 | |
スペース効率の良い | 小型レーザーに最適 |
セラミック開口部 | 清潔で傷つきにくい |
高いコントラスト比 | 卓越したホールドオフ |
クイック電気コネクタ | 効率的かつ信頼性の高い設置 |
超平坦結晶 | 優れたビーム伝播 |
1/4波電圧 | 3.3kV |
透過波面誤差 | < 1/8 波 |
ICR | >2000:1 |
ビデオデッキ | >1500:1 |
キャパシタンス | 6pF |
ダメージ閾値 | > 500MW/cm2@1064nm、10ns |