KD*P EO Qスイッチ

EO Q スイッチは、印加電圧が KD*P などの電気光学結晶に複屈折変化を引き起こすときに、スイッチを通過する光の偏光状態を変更します。偏光子と組み合わせて使用​​すると、これらのセルは光スイッチまたはレーザー Q スイッチとして機能できます。


  • 1/4波電圧:3.3kV
  • 送信波面誤差: < 1/8 波
  • ICR:>2000:1
  • ビデオデッキ:>1500:1
  • キャパシタンス:6pF
  • ダメージ閾値:> 500 MW / cm2 @1064nm、10ns
  • 製品の詳細

    技術的パラメータ

    EO Q スイッチは、印加電圧が KD*P などの電気光学結晶に複屈折変化を引き起こすときに、スイッチを通過する光の偏光状態を変更します。偏光子と組み合わせて使用​​すると、これらのセルは光スイッチまたはレーザー Q スイッチとして機能できます。
    当社は、高度な結晶製造およびコーティング技術に基づいた EO Q スイッチを提供しています。高い透過率 (T>97%)、高い損傷しきい値 (>500W/cm2)、および高い消光比を示す、さまざまなレーザー波長の EO Q スイッチを提供できます。 (>1000:1)。
    アプリケーション:
    • OEM レーザー システム
    • 医療/美容用レーザー
    • 多用途の研究開発用レーザープラットフォーム
    • 軍事および航空宇宙用レーザー システム

    特徴 利点
    CCI 品質 – 経済的な価格 卓越した価値

    最高級ストレインフリーKD*P

    高いコントラスト比
    高いダメージ閾値
    低い半波電圧
    スペース効率の良い 小型レーザーに最適
    セラミック開口部 清潔で傷つきにくい
    高いコントラスト比 卓越したホールドオフ
    クイック電気コネクタ 効率的かつ信頼性の高い設置
    超平坦結晶 優れたビーム伝播
    1/4波電圧 3.3kV
    透過波面誤差 < 1/8 波
    ICR >2000:1
    ビデオデッキ >1500:1
    キャパシタンス 6pF
    ダメージ閾値 > 500MW/cm2@1064nm、10ns