GSGG クリスタル

GGG/SGGG/NGG ガーネットは液体エピタキシーに使用されます。SGGG 基板は光磁気膜専用の基板です。光通信デバイスでは、1.3u および 1.5u 光アイソレータの使用が多く必要であり、そのコアコンポーネントは YIG または BIG 膜です磁場の中に置かれた。


  • 構成:(Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
  • 結晶構造:立方晶系: a =12.480 Å
  • 分子の誘電率 8:968,096
  • 融点:~1730℃
  • 密度:~ 7.09 g/cm3
  • 硬度:~ 7.5 (モーン)
  • 屈折率:1.95
  • 誘電率: 30
  • 製品の詳細

    技術的パラメータ

    GGG/SGGG/NGG ガーネットは液体エピタキシーに使用されます。SGGG 基板は光磁気膜専用の基板です。光通信デバイスでは、1.3u および 1.5u 光アイソレータの使用が多く必要であり、そのコアコンポーネントは YIG または BIG 膜です磁場の中に置かれた。
    SGGG基板はビスマス置換鉄ガーネットエピタキシャル膜の成長に優れており、YIG、BiYIG、GdBIGに適した材料です。
    優れた物理的および機械的特性と化学的安定性を備えています。
    アプリケーション:
    YIG、BIGエピタキシー膜;
    マイクロ波装置;
    代役GGG

    プロパティ:

    構成 (Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
    結晶構造 立方晶系: a =12.480 Å 、
    分子w誘電率8 968,096
    融点 ~1730℃
    密度 ~ 7.09 g/cm3
    硬度 ~ 7.5 (モーン)
    屈折率 1.95
    誘電率 30
    誘電正接(10GHz) およそ3.0*10_4
    結晶成長法 チョクラルスキー
    結晶成長方向 <111>

    技術パラメータ:

    オリエンテーション <111> <100> ±15 アーク分以内
    波面の歪み <1/4 波 @632
    直径許容差 ±0.05mm
    長さの許容差 ±0.2mm
    面取り 0.10mm@45°
    平面度 633nm で <1/10 波
    平行度 < 30 秒角
    直角度 < 15 分角
    表面品質 10/5 スクラッチ/ディグ
    明確な絞り >90%
    結晶の大きな寸法 直径2.8~76mm