BBO は新しい紫外周波数倍増結晶です。常光屈折率 (no) が異常屈折率 (ne) より大きい負の一軸性結晶です。タイプ I とタイプ II の両方の位相整合は、角度調整によって達成できます。
BBO は、Nd:YAG レーザーの第 2、第 3、および第 4 高調波発生に効率的な NLO 結晶であり、213nm での第 5 高調波発生に最適な NLO 結晶です。SHGで70%以上、THGで60%以上、4HGで50%以上の変換効率が得られ、213nm(5HG)で200mWの出力が得られました。
BBO は、高出力 Nd:YAG レーザーのキャビティ内 SHG 用の効率的な結晶でもあります。音響光学 Q スイッチ Nd:YAG レーザーのキャビティ内 SHG では、AR コーティングされた BBO 結晶によって 532 nm で 15 W を超える平均パワーが生成されました。モードロック Nd:YLF レーザーの 600 mW SHG 出力で励起すると、外部強化共振空洞内のブリュースター角カット BBO から 263 nm で 66 mW の出力が生成されました。
BBO は、EO アプリケーションにも使用できます。BBO ポッケルス セルまたは EO Q スイッチは、BBO などの電気光学結晶の電極に電圧が印加されたときに、そこを通過する光の偏光状態を変更するために使用されます。広い透明性と位相整合範囲、大きな非線形係数、高い損傷閾値、優れた光学的均一性と電気光学特性を備えたベータバリウムホウ酸塩 (β-BaB2O4、BBO) は、さまざまな非線形光学用途や電気光学用途に魅力的な可能性をもたらします。
BBO クリスタルの特徴:
• 409.6 nm ~ 3500 nm の広い位相整合範囲。
• 190 nm ~ 3500 nm の広い透過領域。
• KDP 結晶の約 6 倍の大きな実効第 2 高調波発生 (SHG) 係数。
• 高い損傷閾値。
• δn ≈10-6/cm の高い光学的均一性。
●約55℃の広い温度帯域幅。
重要なお知らせ:
BBO は湿気に対する感受性が低いです。ユーザーは、BBO の塗布と保存の両方において乾燥した条件を提供することをお勧めします。
BBO は比較的柔らかいため、研磨面を保護するための予防措置が必要です。
角度調整が必要な場合は、BBOの受光角が小さいので注意してください。
寸法許容差 | (W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.5/-0.1mm) (L≧2.5mm)(W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.1/-0.1 mm) (L<2.5mm) |
クリア絞り | 中心直径の 90% 50mW 緑色レーザーで検査した場合、目に見える散乱パスや散乱中心はありません |
平面度 | L/8 @ 633nm 未満 |
波面歪み | L/8 @ 633nm 未満 |
面取り | ≤0.2mm×45° |
チップ | ≤0.1mm |
スクラッチ/ディグ | MIL-PRF-13830B の 10/5 よりも優れています |
平行度 | ≤20 秒角 |
直角度 | ≤ 5 分角 |
角度許容差 | ≤0.25 |
損傷閾値[GW/cm2] | >1 1064nm、TEM00、10ns、10HZ (研磨のみ) >0.5 1064nm、TEM00、10ns、10HZ (AR コーティング) >0.3 532nm、TEM00、10ns、10HZ (AR コーティング) |
基本特性 | |
結晶構造 | 三角、宇宙グループ R3c |
格子パラメータ | a=b=12.532Å、c=12.717Å、Z=6 |
融点 | 約1095℃ |
モース硬度 | 4 |
密度 | 3.85g/cm3 |
熱膨張係数 | α11=4×10-6/K;α33=36×10-6/K |
熱伝導率 | ⊥c: 1.2W/m/K;//c: 1.6W/m/K |
透明度の範囲 | 190~3500nm |
SHG位相一致範囲 | 409.6~3500nm(タイプI) 525~3500nm(タイプII) |
熱光学係数 (/℃) | dno/dT=-16.6×10-6/℃ dne/dT=-9.3×10-6/℃ |
吸収係数 | <0.1%/cm(1064nm) <1%/cm(532nm) |
角度の許容範囲 | 0.8mrad・cm(θ、タイプI、1064SHG) 1.27mrad・cm(θ、タイプII、1064SHG) |
温度の許容範囲 | 55℃・cm |
スペクトルの受容 | 1.1nm・cm |
ウォークオフ角度 | 2.7° (タイプ I 1064 SHG) 3.2° (タイプ II 1064 SHG) |
NLO 係数 | deff(I)=d31sinθ+(d11cos3Φ- d22sin3Φ)cosθq deff (II)= (d11 sin3Φ + d22 cos3Φ) cos2θ |
消えていないNLO感受性 | d11 = 5.8 × d36(KDP) d31 = 0.05 × d11 d22 < 0.05 × d11 |
セルマイヤー方程式 (μm単位のλ) | no2=2.7359+0.01878/(λ2-0.01822)-0.01354λ2 ne2=2.3753+0.01224/(λ2-0.01667)-0.01516λ2 |
電気光学係数 | γ22 = 2.7pm/V |
半波電圧 | 7 KV (1064 nm、3x3x20mm3) |
モデル | 製品 | サイズ | オリエンテーション | 表面 | マウント | 量 |
DE0998 | BBO | 10*10*1mm | θ=29.2° | Pコーティング@800+400nm | アンマウント | 1 |
DE1012 | BBO | 10*10*0.5mm | θ=29.2° | Pコーティング@800+400nm | φ25.4mm | 1 |
DE1132 | BBO | 7*6.5*8.5mm | θ=22°タイプ1 | S1:Pコーティング@532nm S2:Pコーティング@1350nm | アンマウント | 1 |
DE1156 | BBO | 10*10*0.1mm | θ=29.2° | Pコーティング@800+400nm | φ25.4mm | 1 |